Правильный разгон оперативной памяти

Содержание:

Разгон видеокарты

Как разогнать компьютер на максимум? В этом случае не обойтись без ускорения работы видеокарты. Для этого используют различные приложения, поставляемые производителями или сторонними разработчиками. Современные видеокарты немногим уступают по производительности процессору и материнской плате.

Они тоже имеют центральный процессор, оперативную видеопамять и внутреннюю шину передачи данных. Поэтому в них разгоняют как графический процессор, так и увеличивают частоту работы видеопамяти. Для обеспечения стабильной работы при этом может потребоваться замена штатной системы охлаждения на более мощную.

Разгон оперативной памяти (ОЗУ DDR3, DDR4) через БИОС

В принципе нет никакой принципиальной разницы, хотите вы разогнать оперативную память типа DDR3 или DDR4. Поиск настроек в биосе и последующее тестирование будет выглядеть примерно одинаково. А разгонный потенциал будет больше зависеть от производителя и качества ОЗУ и еще от материнской платы и процессора.

Также хочу отметить, что на большинстве ноутбуков в биосе не предусмотрена возможность изменять параметры оперативной памяти. А ведь весь этот «разгон» по сути, и основывается на подстройке параметров.

Разгон ОЗУ в биосе Award

Прежде чем начать разгон оперативной памяти в биосе Award, нужно нажать комбинацию клавиш Ctrl + F1, чтобы появились расширенные меню настроек. Без этого «трюка» вы нигде не найдете параметры оперативной памяти, которые нам так сильно нужны.

Теперь ищите в меню пункт MB Intelligent Tweaker (M.I.T.). Тут находятся необходимые нам настройки оперативной памяти, а именно System Memory Multiplier. Изменяя частоту этого множителя, вы можете повысить или понизить тактовую частоту вашей оперативной памяти.

Обратите также внимание на то, что если вы хотите разогнать оперативную память, которая работает в связке со стареньким процессором, то у вас, скорее всего, будет общий множитель на ОЗУ и процессор. Таким образом, разгоняя оперативную память, вы будете разгонять и процессор

Обойти эту особенность старых платформ, к сожалению, не получится.

Тут же вы можете увеличить подачу напряжения на ОЗУ. Однако это чревато последствиями, поэтому напряжение нужно трогать, только если вы понимаете, что вы делаете и зачем вы это делаете. В противном случае, лучше оставьте все как есть. А если все же решились, то не понимайте напряжение больше чем на 0,15В.

После того, как вы определились с частотой (так вам пока кажется) и напряжением (если решились) выходим в главное меню и ищем пункт меню Advanced Chipset Features. Тут вы сможете подобрать тайминги задержки. Для этого предварительно нужно изменить значение параметра DRAM Timing Selectable из Auto на Manual, то есть на ручную настройку.

О том, как правильно рассчитать соотношение таймингов и частот будет написано немного ниже. А тут я просто описываю, где в биосе найти нужные нам настройки.

Разгон ОЗУ в биосе UEFI

Биос UEFI является наиболее молодым биосом из всех, а потому и выглядит почти как операционная система. По этой же причине пользоваться им намного удобнее. Он не лишен графики, как его предки и поддерживает разные языки, в том числе русский.

Ныряйте сразу в первую вкладку под аббревиатурным названием M.I.T. и заходите там в «Расширенные настройки частот». Благодаря русскому интерфейсу тут вы точно не запутаетесь. Все аналогично первому варианту – регулируйте множитель памяти.

Потом заходите в «Расширенные настройки памяти». Тут мы управляем напряжением и таймингами. Думаю, все понятно с этим.

Дольше останавливаться на биосах не вижу смысла. Если у вас какой-то другой биос, то либо методом научного тыка найдете необходимый пункт, либо читайте мануалы по вашему биосу.

Многогранная

В сравнении с обычной SDRAM память типа DDR обладает удвоенной пропускной способностью, что и отображено в ее названии — Double Data Rate.

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс
разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров
устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские
пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками
(таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше!
Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить
модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы.
Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных
компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем
вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают
эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических
утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная
частота.

В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM,
которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и
удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость.
В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память
взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового
сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти.
Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать
именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту
работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы
вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то
не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на
их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным
является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило,
придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают
с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его
приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному
тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое
увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные
границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2
разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги),
и это, определенно, тема для отдельной главы.

Формула правильного разгона ОП

Определить значения, при которых работа компьютера будет наиболее стабильной, можно не только экспериментальным способом, но и математическим путем. Для вычисления коэффициента эффективности работы оперативной памяти достаточно поделить частоту, на которой работает ОЗУ, на значение первого тайминга.

Например, в вашем компьютере установлены модули ОЗУ с таймингами 7-7-7-20 и работающие на частоте 1333 МГц. Для их стабильной работы на частоте 1600 МГц требуется изменить тайминги на 9-9-9-24. Эффективность с настройками по умолчанию составляет 1333/7=190,4. После разгона этот показатель будет равен 1600/9=177,8. Следовательно, при таком раскладе увеличивать тактовую частоту не имеет смысла.

UEFI

Самый современный вариант BIOS, который встречается у большинства материнских плат. Отличается простым интерфейсом и поддержкой управления мышью. Предоставляет больше возможностей по настройке памяти. Порядок действий следующий:

  1. Вход в БИОС. Переход к разделу Advanced Mode/Ai Tweaker/Memory Frequency.
  2. Выбор нужной частоты.
  3. Выбор раздела DRAM Timing Control.
  4. Изменение таймингов.
  5. Переход к DRAM Driving Control.
  6. Увеличение множителя для разгона ОЗУ.

После завершения изменений следует вернуться к расширенным настройкам, выбрать пункт Advanced и Northbridge. Здесь в разделе Memory Configuration изменяются параметры ОЗУ.

Изменение показателей

Перед настройкой таймингов следует сначала выполнить тест памяти. Для этого открывают раздел системы и безопасности и пункт Администрирование. Здесь запускают средство для проверки памяти системы, тестируют ОЗУ, перезагружают ПК и входят в БИОС.

Тайминги изменяют в пункте CAS Latency. Значение уменьшают на 0,5 и сохраняют изменения. При повышении производительности продолжают снижать время отклика в пункте RAS Precharge delay.

При настройках памяти изменяют не только тайминги, но и частоту. Значения параметров должны быть совместимы друг с другом. Для низких таймингов стоит выбрать высокую частоту. Кроме того, для повышения скорости работы желательно активировать двух- или четырёхканальный режим.

Многогранная

В сравнении с обычной SDRAM память типа DDR обладает удвоенной пропускной способностью, что и отображено в ее названии — Double Data Rate.

Как и в случае с другими компонентами системы, процесс
разгона оперативной памяти заключается в изменении рабочих параметров
устройства. Добиться максимальной производительности от ОЗУ помогают шаманские
пляски с тремя основными характеристиками — частотой, напряжением и задержками
(таймингами).

Что можно сказать о частоте? Чем она больше — тем лучше!
Фактически ее значение показывает, сколько полезных тактов могут совершить
модули памяти за секунду реального времени. Однако и здесь есть свои нюансы.
Дело в том, что для памяти типа DDR, которая используется в современных
компьютерах, существует две разных частоты — реальная и эффективная, причем
вторая ровно в два раза выше первой. Производители модулей всегда указывают
эффективную частоту своих творений, в то время как в различных диагностических
утилитах, а также в BIOS материнских плат нередко отображается именно реальная
частота.

В чем подвох? Название DDR — это сокращение фразы DDR SDRAM,
которая расшифровывается как Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access
Memory, то есть синхронная динамическая память с произвольным доступом и
удвоенной скоростью передачи данных. Ключевые слова здесь — удвоенная скорость.
В отличие от простой SDRAM (предшественницы DDR), рассматриваемая память
взаимодействует с шиной данных не только по фронту, но и по спаду тактового
сигнала, то есть одному такту шины соответствуют два такта микросхемы памяти.
Соответственно, одни разработчики программного обеспечения предпочитают считать
именно такты шины (реальную частоту), в то время как другие указывают частоту
работы самих чипов (эффективную частоту). Так что если во время разгона вы
вдруг обнаружите, что частота памяти ровно в два раза ниже, чем должна быть, то
не удивляйтесь, это нормально.

Рабочее напряжение модулей оказывает существенное влияние на
их стабильность. В соответствии со стандартами, для плашек DDR2 штатным
является напряжение 1,8 В, а для DDR3 — 1,5 В. Медленные модули, как правило,
придерживаются этих значений, а вот оверклокерские наборы почти всегда работают
с повышенными вольтажами: разогнанным чипам не хватает питания, и его
приходится увеличивать. Естественно, это ведет к более интенсивному
тепловыделению, но если на микросхемах памяти есть радиаторы, то небольшое
увеличение напряжения не создает особых проблем. Тем не менее определенные
границы лучше не пересекать, иначе модули могут выйти из строя. Для DDR2
разумным максимумом можно считать напряжение в 2,2 В, а для DDR3 — 1,65 В.

Третий ключевой параметр оперативной памяти — задержки (тайминги),
и это, определенно, тема для отдельной главы.

Скорость оперативной памяти имеет значение

Каждая программа, которую Вы запускаете, загружается в ОЗУ с Вашего SSD или жесткого диска, что намного медленнее. Как только она загружена, она обычно остается там некоторое время, и центральный процессор получает к нему доступ всякий раз, когда ему это нужно.

Повышение скорости, с которой работает Ваша ОЗУ, может напрямую улучшить производительность Вашего ЦП в определенных ситуациях, хотя существует момент снижения отдачи, когда ЦП просто не может перебрать больше памяти достаточно быстро.

Тем не менее, в играх скорость оперативной памяти может оказать заметное влияние. Каждый кадр может обрабатывать много данных всего за несколько миллисекунд, поэтому, если игра, в которую Вы играете, связана с процессором, более быстрая ОЗУ может улучшить частоту кадров.

Проверка стабильности оперативной памяти

Проверить стабильность ОЗУ можно при помощи приложения Ryzen DRAM Calculator. Порядок действий таков:

  1. Запустить программу и открыть вкладку MEMbench.
  2. Кликнуть по кнопке «Max RAM».
  3. Для начала проверки нажать на кнопку «Run». Тестирование может продолжаться до 10 минут.
  4. В случае выявления ошибок (самая неприятная из которых – появление синего экрана смерти) параметры разгона придется изменить, немного пожертвовав быстродействием. Если никаких сбоев не случилось, рекомендуется установить значение «Task Scope» равным 100%. Затем можно оставить компьютер работать в режиме тестирования на несколько часов (или на всю ночь).

Особенности стандарта оперативной памяти DDR3

Оперативная память, или ОЗУ, является энергозависимым запоминающим устройством, в котором хранятся различные типы данных, обрабатываемых процессором. По сути, ОЗУ представляет собой набор конденсаторов и транзисторов. На конденсаторах накапливается заряд, тур управляется с помощью транзистора. Таким образом, формируется набор данных в зависимости от того, заряжен конденсатор или нет.

Сама аббревиатура DDR означает удвоенную скорость передачи данных памяти типа SDRAM. Стандарт DDR3 пришёл на смену DDR2, что логично. По сравнению с предыдущим типом, новинка имела больший размер подкачки, сокращение энергопотребления и уменьшение техпроцесса, которое позволило разместить на схеме большее количество элементов. Помимо стандартного варианта DDR3, существует и DDR3L, а также DDR3U, которые отличаются уменьшенным энергопотреблением. Серверная оперативная память DDR3 обычно несовместима с десктопными версиями и обладает большим объёмом, частотой, а также стоимостью.

Скорость, время и задержка CAS

Скорость ОЗУ обычно измеряется в мегагерцах, обычно сокращенно «МГц». Это мера тактовой частоты (сколько раз в секунду ОЗУ может обращаться к своей памяти) и аналогично измерению скорости процессора. «Стандартная» скорость для DDR4 (новейшего типа памяти) обычно составляет 2133 МГц или 2400 МГц. DDR означает «Двойная скорость передачи данных», что означает, что ОЗУ считывает и записывает дважды для каждого тактового цикла. На самом деле, скорость составляет 1200 МГц, или 2400 мегабит в секунду.

Но большая часть оперативной памяти DDR4 обычно имеет 3000 МГц, 3200 МГц или выше. Это из-за XMP (Extreme Memory Profile). XMP — это, по сути, оперативная память, сообщающая системе: «Эй, я знаю, что DDR4 должен поддерживать скорость до 2666 МГц, но почему бы Вам не разогнать меня до большей скорости?» Это заводской разгон, уже настроенный, протестированный и готовый к работе. Это достигается на аппаратном уровне с помощью микросхемы в самой ОЗУ, называемой микросхемой обнаружения серийного присутствия, поэтому на каждый чип приходится только один профиль XMP.

В каждом наборе оперативной памяти есть несколько скоростей; Стандартные скорости используют одну и ту же систему обнаружения присутствия и называются JEDEC. Все, что выше стандартных скоростей JEDEC, — это разгон, означающий, что XMP — это просто профиль JEDEC, который был разогнан на заводе.

Время ОЗУ и задержка CAS — это другой показатель скорости. Они измеряют задержку (как быстро реагирует Ваша RAM). Задержка CAS — это мера количества тактов между отправкой команды READ на карту памяти и процессором, получающим ответ. Обычно это называется «CL» после скорости ОЗУ, например, «3200 МГц CL16».

Обычно это связано со скоростью ОЗУ — чем выше скорость, тем выше задержка CAS. Но задержка CAS — это только один из множества разных таймингов и тактов, которые заставляют работать ОЗУ; остальные, как правило, просто упоминаются как «тайминги ОЗУ». Чем ниже и плотнее время, тем быстрее будет работать ОЗУ. Если Вы хотите узнать больше о том, что на самом деле означает каждое время, Вы можете прочитать это руководство от Gamers Nexus.

Расшифровка обозначений

Производители оперативной памяти часто используют свои собственные маркировки для обозначения моделей, но характеристики всё же стараются указывать в едином формате. Например, из планки от «Сrusial» можно извлечь следующую информацию.

4GB DDR3L-1600 UDIMM 1.35V CL11

Стандарт планок DIMM, UDIMM и SODIMM

Такими сокращениями обозначают стандарт планок. DIMM это планки для персональных компьютеров, а SO-DIMM (Small Outline Dual In-line Memory Module) — для ноутбуков — по размеру короче и выше.

Ещё можно встретить следующие обозначения:

  • U-DIMM — без буфера;
  • R-DIMM — с буфером;
  • LR-DIMM — с буфером и пониженным энергопотреблением;
  • FB-DIMM — с полной буферизацией.

U-DIMM — разновидность DIMM памяти, используется в 99% домашних ПК. «U» обозначает что у планки нет защиты от возникновения ошибок при обращения к ячейкам. Это позволяет ей быстрее работать и дешевле стоить. Для повседневных задач отсутствие защиты не критично. В маркировке часто букву «U» не пишут, оставляя только DIMM.

R-DIMM, LR-DIMM и FB-DIMM — планки для серверов и вычислительных систем, в которых нужна максимальная надёжность работы. Стоят дороже и не рекомендуются для покупки в обычные компьютеры.

Тип памяти: DDR4, DDR3 и DDR3L

Типы памяти отличаются по многим техническим характеристикам. Например, DDR4 работает на более высоких частотах и обладает лучшей энергоэффективностью. Об отличии DDR4 от DDR3 читайте здесь. Отмечу, что типы 3 и 4 поколения несовместимы.

Разница между DDR3 и DDR3L только в энергоэффективности. «L» — это сокращение от «Low». Память с таким маркером потребляет 1.35V, а обычная — 1.5V. Оба типа совместимы и могут использоваться в компьютере вместе. Более низкое энергопотребление не позволит сэкономить на электричестве, но обеспечит памяти чуть меньший нагрев.

Частота работы: 1333, 1600, 1866, 2133 МГц

Чем выше частота, тем лучше быстродействие. Но есть нюанс. Процессор имеет максимальный порог частоты, на которой он может взаимодействовать с оперативной памятью. Если в процессоре этот порог 1600 МГц, то покупка памяти с частотой 2133 МГц ничего не даст. Работать всё будет на частоте 1600 МГц.

Данную характеристику часто не указывают у процессоров и её следует искать на сайте производителя. Для примера приведу небольшой список максимальной частоты взаимодействия с ОЗУ для некоторых процессоров.

Серия процессора Max частота
Core i3
Core i3 8й серии 2400 МГц
Core i3 7й серии 2133/2400 МГц
Core i3 6й серии 2133 МГц
Core i3 4й серии 1600 МГц
Core i5
Core i5 7й серии 2400 МГц
Core i5 6й серии 2133 МГц
Core i5 4й серии 1600 МГц
Core i7
Core i7 7й серии 2666 МГц
Core i7 6й серии 2400 МГц
Core i7 4й серии 1600 МГц
AMD FX
AMD FX-4ххх 1866 МГц
AMD FX-6ххх 1866 МГц
AMD FX-8ххх 1866 МГц
AMD Ryzen
AMD Ryzen 3 1й серии 2666 МГц
AMD Ryzen 5 1й серии 2666 МГц
AMD Ryzen 7 1й серии 2933 МГц

Пиковая скорость передачи данных: PC10600, PC12800, PC19200

Максимальная скорость передачи данных зависит от частоты работы памяти и обозначается префиксом «PC». Далее идёт скорость, измеряемая в МБ/с. Чем больше скорость — тем лучше.

Частота Скорость
2400 МГц PC19200
2133 МГц PC17000
1866 МГц PC14900
1600 МГц PC12800
1333 МГц PC10600

Иногда встречается префикс «PC3» или «PC4», что указывает на конкретный тип памяти — DDR3 или DDR4.

В конце может добавляться буква, обозначающая стандарт планки. Например, «PC4-24000U» или «PC4-24000R».

Редко встречается «E» — ECC (error-correcting code) — память c коррекцией ошибок.

Тайминг: 8-8-8-24, CL11

Тайминг это задержка, которая происходит при обращении процессора к памяти. Обычно указывается в виде 4 чисел. Они описывают скорость чтения, записи и выполнения действия. Четвёртая указывает на полный цикл выполнения этих операций. Иногда указывают только скорость чтения — CL11 (CAS Latency 11).

Чем меньше задержки, тем лучше. Но архитектура современных процессоров подразумевает наличие большого кеша и он не часто обращается к оперативной памяти на прямую. Поэтому эти показатели не играют большой роли в быстродействии. Разницу между 8-8-8-24 и 17-17-17-42 практически нельзя заметить.

В маркировке тайминг может обозначаться буквой после частоты. Например, DDR4-2400T или DDR4-2666U.

Размещение чипов памяти: 1Rx8 и 2Rx8

В некоторых моделях памяти в маркировке присутствует обозначение 1Rx8 или 2Rx8. Это указание на схематическое расположение чипов на плате.

  • 1Rx8 — 8 чипов на одной стороне платы;
  • 2Rx8 — 16 чипов по 8 с каждой стороны.

В одном компьютере может использоваться память с разной организацией размещения чипов. На быстродействие это не влияет. Производитель просто решает как ему удобней разместить их на плате.

Уменьшение визуальных эффектов Windows

Windows 10 поставляется с множеством загруженных визуальных эффектов для окон, меню, всплывающих подсказок и многого другого. Если у вас много оперативной памяти, эти визуальные эффекты не будут проблемой.

Однако если вы работаете с минимальным объемом доступной оперативной памяти, отключение этих эффектов может значительно увеличить объем доступной памяти.

Чтобы отключить визуальные эффекты Windows:

  1. Откройте Этот компьютер, щелкните правой кнопкой мыши и выберите Свойства.
  2. В левой части окна нажмите на Дополнительные параметры системы.
  3. В разделе Быстродействие нажмите кнопку на Параметры.
  4. В окне Параметры быстродействия выберите Обеспечить наилучшее быстродействие.

Вы заметите, что с этим параметром, все анимированные функции были отключены. Конечно можно настроить под себя и выбрать Особые эффекты, а затем включить или выключить любые визуальные эффекты, которые вам нужны. Данный процесс конечно не освободит оперативную память, однако намного ускорит работу компьютера при работе со многими программами одновременно.

Как разогнать оперативную память

Самая сложная часть разгона оперативной памяти — выяснить, какую скорость и время Вы должны использовать, потому что в BIOS имеется более 30 отдельных настроек, которые Вы можете настроить. К счастью, только четыре из них считаются «первичными» таймингами, и их можно рассчитать с помощью инструмента «Ryzen DRAM Calculator». Он предназначен для систем AMD, но все равно будет работать для пользователей Intel, так как он в основном связан с таймингами памяти, а не с процессором.

Загрузите инструмент и укажите скорость Вашего ОЗУ и тип, который у Вас есть. Нажмите фиолетовую кнопку «R — XMP», чтобы загрузить номинальные характеристики Вашего комплекта, а затем нажмите «Calculate SAFE» или «Calculate FAST», чтобы просмотреть новые тайминги.

Вы можете сравнить эти временные характеристики с номинальными характеристиками, используя кнопку «Compare timings», и Вы обнаружите, что в настройках SAFE все немного ужесточается, а основная задержка CAS уменьшается в настройках FAST.

Как только все заработает, Вам нужно будет убедиться, что разгон стабилен с помощью встроенного в калькулятор тестера памяти.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

  • частоты
  • таймингов
  • напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Частотапамяти,Mhz Тактов засекунду,шт Время 1таминга,нс Таймингов достабильнойзоны, шт Всегозатраченовремени, нс
2400 1 200 000 000 83 11 913
1600 800 000 000 125 7 875
1333 666 500 000 150 6 900
1066 533 000 000 180 5 900
800 400 000 000 250 4 1000

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Award BIOS

Версия БИОС, которая ещё несколько лет назад устанавливалась на 90% материнских плат десктопных компьютеров. Сейчас такой интерфейс встречается реже, но всё равно остаётся популярным. Процесс его настройки выглядит следующим образом:

  1. Перезагрузка компьютера и переход к его BIOS нажатием одной или нескольких клавиш (для этой версии это обычно Delete).
  2. Переход к настройкам с помощью одновременного нажатия Ctrl и F1.
  3. Выбор пункта MB Intelligent Tweaker и нажатие Enter.
  4. Переход к разделу System Memory Multiplier.
  5. Настройка параметров памяти с помощью изменения множителя.
  6. Сохранение изменений и перезагрузка.

Все изменения рекомендуется вносить постепенно, в пределах 5%. Общее увеличение не должно быть больше 15%. После перезагрузки следует проверить показатели и работоспособность оперативной памяти, применяя специальный софт – например, AIDA64 или MemTest86.

Правильный разгон оперативной памяти (формула)

Да, конечно же, чтобы подобрать лучшие параметры и повысить производительность ОЗУ и системы в целом, нужно экспериментировать, и каждый раз тестировать систему на производительность и стабильность.

Но скажу вам по секрету, узнать наилучшую производительность можно не только опытным путем, а еще и математическим. Однако тесты на стабильность все равно никто не отменяет.

Итак, как вывести коэффициент эффективности работы ОЗУ? Очень просто. Нужно поделить рабочую частоту памяти на первый тайминг. Например, у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29. Делим 2133 на 15 и получаем некое число 142,2. Чем выше это число, тем теоретически выше эффективность оперативной памяти.

Как известно, при разгоне ОЗУ без увеличения напряжения, поднимая частоту, скорее всего, придется поднять и тайминги на 1 или 2 такта. Исходя из нашей формулы, можно понять, обосновано ли поднятие частоты или нет. Вот пример настройки одной и той же планки ОЗУ:

Вот и получается, что если частота 2400 МГц требует поднять тайминги на 2 такта по сравнению со стандартными таймингами, то нам это абсолютно не выгодно. А вот с частотой 2133 и 2666 МГц можно провести тесты производительности и стабильности системы, чтобы выбрать, какой из них для нас оптимальный.

Индивидуальный подход

Пользоваться специальными утилитами для разгона системы можно, но не нужно — их функционал хромает.

Когда дело доходит непосредственно до ковыряния в
многочисленных меню, становится понятно, что изменять тайминги куда проще, чем
частоту памяти. Это в видеокартах все элементарно: потянул в специальной
утилите ползунок вправо — получил нужную прибавку к частоте. С полноценными
DDR-модулями все намного сложнее.

Основные проблемы связаны с тем, что скорость работы
оперативки зависит сразу от двух параметров — опорной частоты (FSB, BCLK) и
множителя. Перемножая эти значения, мы получаем итоговую частоту ОЗУ. Однако
простое увеличение первого параметра почти наверняка приведет к непредвиденным результатам,
ведь это неизменно скажется на производительности других компонентов системы.
Можно, конечно, не трогать опорную частоту, но добиться впечатляющего разгона с
помощью одних лишь модификаций множителя в большинстве случаев невозможно.

На разных платформах изменение опорной частоты приводит к
разным последствиям. Кроме того, нередко ради повышения скорости работы памяти
требуется изменить рабочие параметры других исполнительных блоков системы.
Словом, к каждой платформе нужен свой подход, так что мы постараемся разобрать
основные нюансы для каждого случая. Рассматривать все возможные конфигурации
мы, разумеется, не станем — сосредоточимся на десктопных платформах,
появившихся в последние несколько лет. У всех них контроллер памяти
располагается в процессоре, так что можно сказать, что особенности разгона
зависят от того, какой именно кусок кремния является сердцем системы. Итак,
хит-парад самых актуальных на сегодняшний день процессоров…

XMP не сделает все за Вас

Вы можете купить свою оперативную память G.Skill, Crucial или Corsair, но эти компании не производят настоящие микросхемы памяти DDR4. Они покупают их у полупроводниковых литейных заводов, что означает, что вся оперативная память на рынке поступает только из нескольких основных мест: Samsung, Micron и Hynix.

Кроме того, флэш-наборы памяти, рассчитанные на 4000+ МГц при низких задержках CAS, — это то же самое, что «медленная» память, которая стоит половину цены. Они оба используют чипы памяти Samsung B-die DDR4, за исключением того, что у одного есть распределитель тепла золотистого цвета, RGB-подсветка и украшенный драгоценными камнями верх.

Когда чипы поступают с завода, они тестируются в процессе, называемом биннингом. Некоторая оперативная память работает очень хорошо на частоте 4000+ МГц с низкой задержкой CAS, а другая оперативная память не может разогнаться после 3000 МГц. Это называется силиконовая лотерея, и это делает высокоскоростные комплекты дорогими.

Но скорость на коробке не всегда совпадает с истинным потенциалом Вашей оперативной памяти. Скорость XMP — это просто рейтинг, который гарантирует, что память будет работать с номинальной скоростью 100% времени. Речь идет больше о маркетинге и сегментации продукта, чем о пределах оперативной памяти; ничто не мешает Вашей оперативной памяти работать за пределами спецификации производителя, кроме того, включить XMP проще, чем разогнать ее самостоятельно.

XMP также ограничен несколькими конкретными временами. По словам представителя в Кингстоне, они «настраивают только «первичные» тайминги (CL, RCD, RP, RAS)», а поскольку система SPD, используемая для хранения профилей XMP, имеет ограниченный набор записей, остальное зависит от материнской платы, которая не всегда делает правильный выбор.

Кроме того, заводской процесс биннинга будет иметь заданный диапазон напряжения, в котором они хотят работать. Например, они могут связать свои наборы ОЗУ с напряжением 1,35 В, не проводить расширенное тестирование, если оно не прошло, и бросить его в «3200МГц среднего уровня», в который попадает большинство наборов памяти. Но что, если Вы запустили память на 1,375 вольт? А как насчет 1,390 вольт? И то, и другое по-прежнему близко к небезопасным напряжениям для DDR4, и даже небольшое добавочное напряжение может значительно повысить тактовую частоту памяти.

Выводы

Первое, что хочется отметить в выводах — разгон памяти ОЗУ — это очень непростое дело, которое требует не просто начитанности и понимания в этом вопросе, но и понимания основных правил работы с настройками процессора и материнской платы, основные правила работы электрикой и с техникой. Кроме того, чтобы правильно сделать разгон памяти, понадобится достаточно времени для экспериментов и тестирования, а также очень много терпения, чтобы не бросить свою затею на половине пути и довести дело до логического конца.

  • Так что если твердо решили разгонять память — стоит выделить на это целый день, в который вам не нужен будет срочно персональный компьютер и в который вы сможете сделать все не спеша и в комфортной обстановке, чтобы посчитать настройки и правильно их ввести.
  • Также, если вам хочется увеличить скорость ОЗУ, можете обратиться в специальный центр, где специалисты будут не только подстраивать основные параметры, о которых говорится в этой статье но и смогут увеличить подачу напряжения, так как они не раз сталкивались с такой просьбой от клиентов.
  • Кроме того, вы всегда можете просто рассмотреть вариант того, чтобы не просто искусственно разгонять ОЗУ и снижать время работы памяти, а просто увеличить ее количество у себя на персональном компьютере. Это даст вам верный результат, предотвратит раннее изнашивание деталей и существенно расширит ваши возможности.
Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Adblock
detector